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Test setup

1、Cables: 2m, with 470KΩ * 2

---EUT and Metal HCP (Horizontal Coupling Plate);

---HCP and Metal Plate connected to the ground

2、Insulated Plate on the table: thickness 》0.5mm

3、Table: Wood

4、Cable from ESD Gun to Ground Metal Plate: 2m

 

国家标准

第一级：接触放电±2kＶ，空气放电±2kV

第二级：接触放电±4kＶ，空气放电±4kV

第三级：接触放电±6kＶ，空气放电±8kV

第四级：接触放电±8kＶ，空气放电±15kV

 

CE认证：接触放电±4kＶ，空气放电±8kV

一般而言，ESD保护元件的分类可以通过其保护策略与方向性来进行，主要包括压敏电阻[1]、聚合物和瞬态电压抑制器(TVS[2])等。在这几种保护元件中，压敏电阻在低电压时，呈现出高电阻，其中的每个小型二极管两端的电压都相当低，同时电流也相当小；而在较高电压时，其中的独立二极管开始导通，同时压敏电阻的电阻会下降。从图2中我们也可以看出压敏电阻为双向保护元件。

为了给电子系统提供ESD保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建ESD保护架构。不过，日趋缩小的CMOS芯片已经越来越不足以承受进行内部2 kV等级的ESD保护所需要的面积。其次，也可以在物理电路设计方面下功夫，较敏感的电路元件应该尽量远离通孔或接缝处，如果可能的话，线缆连接器的接地应该要在系统信号引脚接触前先连接到系统的接地，通过这样的方式，线缆上所发生的放电事件就比较不会造成干扰或破坏。

1、最小击穿电压V_BR和击穿电流I_R

V_BR：Reverse Break Down Voltage，反向击穿电压

I_R：Reverse Current，击穿电流（有的datasheet上称为I_T）

V_BR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流( I_R )时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V_BR 。按TVS的V_BR与标准值的离散程度，可把V_BR分为5％和10％两种。对于5％的V_BR来说，V_RWM =0.85V_BR；对于10％的V_BR来说，V _RWM =0.81V_BR。

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ESD是代表英文Electrostatic Discharge[1] 即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热（火花）效应（如静电引起的着火与爆炸）和电磁效应（如电磁干扰）等的学科。近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰（EMI[2]）及电磁兼容性（EMC[3]）问题越来越重视。