当前位置:首页 > 技术心得 > 正文内容

常用电平标准

xjtudll2年前 (2024-12-02)技术心得5550

现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。

1、TTL电平

TTL:Transistor- Transistor Logic 三极管结构。

VCC:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。

因为2.4V与5V之间还有很大空闲,对改善噪声容限并没什么好处,又会白白增大系统功耗,还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了,也就是后面的LVTTL。

LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。

(1)3.3V LVTTL

VCC:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。

(2)2.5V LVTTL

VCC:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片,使用时查看芯片手册就OK了。

TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重,可能在始端串22欧或33欧电阻; TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。TTL输出不能驱动CMOS输入。

过冲(overshoot)就是第一个峰值或谷值超过设定电压——对于上升沿是指最高电压而对于下降沿是指最低电压。

下冲(undershoot)是指下一个谷值或峰值。过分的过冲能够引起保护二极管工作,导致过早地失效。过分的下冲能够引起假的时钟或数据错误。

2、CMOS电平

CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。

VCC:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。

相对TTL有了更大的噪声容限,输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应 3.3V LVTTL,出现了LVCMOS,可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。

(1)3.3V LVCMOS

VCC:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。

(2)2.5V LVCMOS:

VCC:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。

CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构,当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。

闩锁效应:Latch up,CMOS工艺特有的寄生效应。

clip_image002

从图中我们可以看出由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成了一个n-p-n-p的结构,这就是一个典型的可控硅电路,如上图右侧所示。一旦图中组成等效可控硅的电路的Q1、Q2任何一个正向偏置,都将触发闩锁效应,使电源和地之间短路,形成大电流,而导致芯片发热烧毁。

3、ECL电平

ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)

VCC=0V;VEE=-5.2V;VOH=-0.88V;VOL=-1.72V;VIH=-1.24V;VIL=-1.36V。

速度快,驱动能力强,噪声小,很容易达到几百M的应用。但是功耗大,需要负电源。为简化电源,出现了PECL(ECL结构,改用正电压供电)和LVPECL。

PECL:Pseudo/Positive ECL

VCC=5V;VOH=4.12V;VOL=3.28V;VIH=3.78V;VIL=3.64V

LVPELC:Low Voltage PECL

VCC=3.3V;VOH=2.42V;VOL=1.58V;VIH=2.06V;VIL=1.94V

ECL、PECL、LVPECL使用注意:不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。

以上三种均为射随输出结构,必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL:直流匹配时用130欧上拉,同时用82欧下拉;交流匹配时用 82欧上拉,同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)

4、LVDS电平

LVDS:Low Voltage Differential Signaling

差分对输入输出,内部有一个恒流源3.5-4mA,在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。

LVDS使用注意:可以达到600M以上,PCB要求较高,差分线要求严格等长,差最好不超过10mil(0.25mm)。

100 欧电阻离接收端距离不能超过500mil,最好控制在300mil以内。

扫描二维码推送至手机访问。

版权声明:本文由鸟的天空发布,如需转载请注明出处。

本文链接:http://www.xjtudll.cn/Exp/695/

标签: 单片机
分享给朋友:

“常用电平标准” 的相关文章

Xcode:failed to get the task for process XXX 解决办法

问题:     iOS真机调试程序,报如下错误信息:failed to get the task for process XXX 原因: 证书问题,project和target的证书都必须是开发证书,不能用分发证书。 解决方案:     p...

金蝶K3:直接SQL报表中进行核算项目数据授权控制的方法

--【第一步】: --根据核算项目类别ID,查询到对应核算项目的数据授权表及查看、修改、删除的权限字段名和权限掩码 --例如查出客户的数据授权表为Access_t_Organization --几乎所有的核算项目的查看、修改、删除的权限字段名和权限掩码都是以下这样: -...

按键精灵 获取控件内容(非窗体标题)

按键精灵 获取控件内容(非窗体标题)

想抓一个软件的 一个类名是Edit的输入框中的内容,句柄已经正确找到了,然后用精灵8自带的 Plugin.Window.GetText(Hwnd) 命令来获取,结果得不到输入框中的控件内容,只得到一个窗口标题 “ 1 ”。 如图示: 想获得这个输入框中的1222 这个...

Windows7画图调整橡皮擦大小

Windows7画图调整橡皮擦大小

Windows7自带的画图软件,如何调整橡皮擦大小呢? 方法1:选中橡皮擦 ,在菜单栏找到“粗细”,选中不同的宽度即可。如下图所示。但是这个方法有个缺点,如果要将橡皮擦调整到很小的宽度,则没法实现。 例如,想使用1px的橡皮擦,怎么办? 这个时候就要用到方法2了。 方法2:...

WCF:在 ServiceModel 客户端配置部分中,找不到引用协定

环境:VS2010 + C#(DLL) + WCF 即我使用C#编写了一个DLL,在DLL里面远程调用WCF服务,然后EXE程序在调用DLL里面的接口时,出现了如下错误: System.InvalidOperationException: 在 ServiceModel 客户端配置部分中,找不到引用协...

BOS自定义单据对应模块后台查找

bos数据大量更改新增之后,会出现数据存放位置忘记的情况,下面为单据及单据转换后台查询对应模块的语句,如有需要可参考查询--自定义单据忘记存放在哪个模块可使用以下语句进行查询SELECT it.FID,it.FFunctionID as FSubSysID,it.FNa...

发表评论

访客

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法和观点。